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研究草稿 FactSet 为只读市场数据快照;内部观点、推断与预测独立维护。
SA
005930-KR · 韩国

Samsung Electronics 三星电子

HBM、DRAM、NAND 与先进制造

存储与数据层DRAM 与 HBMNAND 与 SSDHBM 与内存墙NAND/SSD 与 KV Cache
持续跟踪更新于 2026-07-13深度研究

005930-KR 估值快照

FactSet MCP · EPS 更新 2026-08-09
最新收盘价KRW 239,5002026-08-11
Current Market CapLOCAL 1531.91tnGlobal Prices · 2026-08-11
Daily+4.1%FactSet · 2026-08-10 → 2026-08-11
YTD+99.7%FactSet · 2025-12-31 → 2026-08-11
QTD-28.3%FactSet · 2026-06-30 → 2026-08-11
MTD-8.8%FactSet · 2026-07-31 → 2026-08-11
FY0 EPS actualKRW 6,605Company actual · 截止 2025-12-31
FY3 EPS consensusKRW 72,504Mean · 截止 2028-12-31 · n=32
FY1 Forward P/E4.95x收盘价 ÷ FY1 mean EPS
FY2 Forward P/E3.39x收盘价 ÷ FY2 mean EPS
Forward 3Y EPS CAGR122.2%FY0 actual → FY3 consensus · 3 年
EPS 路径
FY0A6,6052025-12-31 · company
FY1E48,3912026-12-31 · n=38
FY2E70,6782027-12-31 · n=38
FY3E72,5042028-12-31 · n=32

Daily / MTD / QTD / YTD 直接来自 legacy FactSet MCP 内的 Global Prices `/returns-range` endpoint,使用 FactSet `totalReturn` 并固定 `dividendAdjust=PRICE`,因此是排除股息的 price return;页面不再以 close ÷ basePrice 自行计算。FactSet 原始百分数保留用于逐项校验,页面仅将其除以 100 后格式化。无完整区间、ticker/fsymId/币种/日期不一致时显示 N/M。Current Market Cap 直接来自 Global Prices `/market-value` 的 `currentMarketValue`、security-level fsymId 与有效日期,不再以 close × shares 推导;单位为 million。FactSet 本次对 market value 返回字面 currency code `LOCAL`,页面忠实显示 LOCAL 且不推断 ISO currency,因此不同本币标的不可直接横向比较。Forward 3Y EPS CAGR = (FY3 consensus EPS ÷ FY0 actual EPS)^(1/3) − 1。FY0 与 FY3 均来自 FactSet Estimates 的 EPS 指标;actualType 可能为 company 或 broker,FY3 为 aggregate mean 且分析师覆盖通常较 FY1 少。若 EPS 非正或归一币种不一致则显示 N/M。FY0 actual 明显低于 FY1 consensus,CAGR 受低基数放大。 行情与一致预期是外部数据快照,不会自动改写内部研究观点。

存储产品组合最完整,HBM、通用 DRAM 与 NAND 均提供盈利弹性;但需分别验证客户认证、良率、mix 与资本纪律,不能以综合规模替代份额证明。

事实

存储产品组合HBM 认证 × DRAM/NAND ASP

推断

HBM4 客户认证、memory ASP 与高端 mix将决定观点能否进一步强化。

预测

若关键变量按期兑现,盈利与估值叙事将从单一产品扩展至平台或产业协同。

单一标的研究框架

产业链定位、利润池、盈利传导、验证顺序与证伪条件

内部框架 · AI Research
01 · 公司定位

上游 · 存储与数据层

HBM、DRAM、NAND 与先进制造

02 · 利润池

公司赚什么钱

HBM/DRAM 的带宽与工作内存、NAND/SSD 的热温数据,以及 nearline HDD 的低成本容量价值池。

03 · 盈利传导

从需求到 EPS

AI 数据生成与系统容量 → 带宽/延迟/容量需求 → 位元或 exabyte、ASP 与产品组合 → 毛利率与 EPS。

04 · 验证顺序

先验证什么

  1. HBM 客户认证与代际
  2. NAND/SSD 位元、库存与 enterprise mix
  3. Nearline exabyte、容量点与 ASP
05 · 节奏判断

兑现与期权分层

HBM、NAND 与 HDD 是不同子周期;分别验证良率/认证、供给纪律和 exabyte/技术迁移后再判断盈利久期。

06 · 证伪条件

什么会打破逻辑

HBM 执行、资本开支、foundry 拖累与集团复杂度

框架来自内部产业链资料的分析结构,不作为最新数值来源;市场数据与一致预期仍以 FactSet 快照为准。

观点版本记录

保留每次边际变化,而非覆盖旧结论

跟踪

存储产品组合最完整,HBM、通用 DRAM 与 NAND 均提供盈利弹性;但需分别验证客户认证、良率、mix 与资本纪律,不能以综合规模替代份额证明。

维持

需求可见度改善,但关键产品验证和供给节奏仍需跟踪。

新建

建立公司卡片与核心跟踪指标。