InP、GaAs 与 Ge 化合物半导体衬底
Daily / MTD / QTD / YTD 直接来自 legacy FactSet MCP 内的 Global Prices `/returns-range` endpoint，使用 FactSet `totalReturn` 并固定 `dividendAdjust=PRICE`，因此是排除股息的 price return；页面不再以 close ÷ basePrice 自行计算。FactSet 原始百分数保留用于逐项校验，页面仅将其除以 100 后格式化。无完整区间、ticker/fsymId/币种/日期不一致时显示 N/M。Current Market Cap 直接来自 Global Prices `/market-value` 的 `currentMarketValue`、security-level fsymId 与有效日期，不再以 close × shares 推导；单位为 million。FactSet 本次对 market value 返回字面 currency code `LOCAL`，页面忠实显示 LOCAL 且不推断 ISO currency，因此不同本币标的不可直接横向比较。Forward 3Y EPS CAGR = (FY3 consensus EPS ÷ FY0 actual EPS)^(1/3) − 1。FY0 与 FY3 均来自 FactSet Estimates 的 EPS 指标；actualType 可能为 company 或 broker，FY3 为 aggregate mean 且分析师覆盖通常较 FY1 少。若 EPS 非正或归一币种不一致则显示 N/M。行情与一致预期是外部数据快照，不会自动改写内部研究观点。
InP substrate 有效产能：出口许可 × 产能 × 良率 × margin
800G/1.6T 光连接需求、InP 扩产与 6-inch substrate 研发将决定观点能否进一步强化。
若关键变量按期兑现，盈利与估值叙事将从单一产品扩展至平台或产业协同。
产业链定位、利润池、盈利传导、验证顺序与证伪条件
InP、GaAs 与 Ge 化合物半导体衬底
从 switch/NOS、white-box 硬件、材料、器件与连接芯片，到光平台、模块、传输和测试认证的系统价值链。
集群规模与带宽瓶颈 → switch 端口/网络架构与光速率升级 → 出货、ASP、软件 attach 与良率 → 毛利率与 EPS。
Switch hardware、NOS、pluggable optics 与未来 CPO/NPO 控制点分开估值；产品发布不代表批量收入或利润兑现。
中国制造与出口许可、地缘政治、扩产和融资稀释、FY0 EPS 为负且 FY3 consensus 仅 2 位分析师
框架来自内部产业链资料的分析结构，不作为最新数值来源；市场数据与一致预期仍以 FactSet 快照为准。
保留每次边际变化，而非覆盖旧结论
InP substrate 是高速 laser 与 data-center optical connectivity 的上游材料控制点，但公司披露的 AI 相关需求必须由出口许可、有效产能、良率、产品 mix、毛利率和现金转换持续验证。
需求可见度改善，但关键产品验证和供给节奏仍需跟踪。
建立公司卡片与核心跟踪指标。
按公司、专题与事件自动关联
只展示来源元数据与原创摘要，原始文件保留在本地资料库